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AT-400原子层沉积系统技术参数:
基片尺寸:4英寸;
加热温度:25℃~350℃;
温度均匀性:±1℃;
前体温度范围:从室温至150℃,±2℃;可选择加热套;
前驱体数:一次同时可处理多达5个ALD前体源;
PLC控制系统:7英寸16位彩色触摸屏控制;
模拟压力控制器:用于快速压力检测和脉冲监测
样品上载:将样品夹具从边上拉出即可;
压力控制装置:压力控制范围从0.1~1.5Torr
两个氧化剂/还原剂源,如水,氧气或氨气;
在样品上没有大气污染物,因为在沉积区的附近或上游处无Elestamor O型圈出现;
氧化铝催化剂处理能力:6-10次/分钟或高达1.2纳米/分钟
高纵横比沉积,具有良好的共形性
曝光控制,用于在3D结构上实现所需的共形性;
预置有经验证过的3D和2D沉积的优化配方;
简单便捷的系统维护及安全联锁;
目前市面上占地小,可兼容各类洁净室要求的系统;
可以为非标准样品而订制的夹具,如SEM / TEM短截线
原子层沉积ALD的应用包括:
1) High-K介电材料(Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2)导电门电极(Ir, Pt, Ru, TiN);
3)金属互联结构(Cu, WN, TaN,Ru, Ir);
4)催化材料(Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5)纳米结构(All ALD Material);
6)生物医学涂层(TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金属(Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8)压电层(ZnO, AlN, ZnS);
9)透明电学导体(ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻挡层(ZnO, TiO2);
11) OLED钝化层(Al2O3);
12)光子晶体(ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射滤光片(Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14)电致发光器件(SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等(Al2O3, ZrO2);
16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等(AlTiO, SnO2, ZnO);
17)传感器(SnO2, Ta2O5);
18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层(Al2O3, ZrO2, WS2);